» » Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов
Diy Kit

Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов

Автор: Boss от 18-11-2018, 22:40
  • 0

Полевые транзисторы


Рассматривается комплекс сведений об эксплуатационных параметрах полевых транзисторов и особенностях их схемного применения в различных цепях радиоэлектронной и связной аппаратуры.
Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов

Приводятся вольт-амперные характеристики, эквивалентные схемы и эксплуатационные параметры различных типов полевых транзисторов; методы построения различных устройств на этих транзисторах. Содержатся данные по использованию МОП-транзисторов в качестве функционального прибора.

Предназначена для инженерно-технических работников, специализирующихся в области разработки аппаратуры связи.


ОГЛАВЛЕНИЕ

Глава 1. Параметры и характеристики
Полевой транзистор с р-я-переходом.
МОП-транзистор
Разновидности полевых транзисторов

Глава 2. Особенности применения
Защита затвора МОП-транзистора
Усилители
Повторители
Импульсные устройства

Глава 3. Функциональные возможности
Полевой транзистор в режиме прямого смещения затвора
Возможности МОП-транзистора как элемента схемы
МОП-транзистор — электронное устройство


Название: Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов
Авторы: Д. В. Игумнов, И. С. Громов
Год издания: 1981
Страниц: 66
Формат: PDF, DJVU
Размер: 10.8 MB
Качество: Отличное
Язык: Русский
Скачать : Эксплуатационные параметры и особенности применения полевых транзисторов

В случае обнаружения "битых" ссылок - Вы можете оставить комментарий, и ссылки будут восстановлены в ближайшее время.

Сохрани статью на своей странице и поделись с друзьями:


Видеокурс по SIMATIC STEP 7

Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.