Учебное пособие
Учебное пособие, состоящее из двух частей, посвящено полупроводниковой фотоэлектронике. В первой части изложены физические принципы фотоэлектрических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах, в частности квантово-размерных. Во второй части рассмотрены физические принципы работы, конструкции и основные характеристики целого ряда полупроводниковых фотоприемников, как дискретных, так и многоэлементных. Рассмотрены способы и варианты построения оптических фотоэлектронных систем как видимого, так и инфракрасного диапазонов.

Для студентов старших курсов высших учебных заведений физических, радиофизических и физико-технических специальностей, аспирантов и специалистов, работающих в области фотоэлектроники.
Название: Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники
Автор: Войцеховский А. В., Ижнин И. И., Савчин В. П., Вакив Н. М.
Издательство: Издательский Дом Томского государственного университета
Год: 2013
Страниц: 560
Формат: pdf
Размер: 10,5 мб
Язык: русский



Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.